產(chǎn)品介紹

1. 業(yè)界*的硅電極--標(biāo)準(zhǔn)電極

記錄和刺激單個(gè)神經(jīng)元，多個(gè)神經(jīng)元和局部場(chǎng)電位。

NeuroNexus的標(biāo)準(zhǔn)電極使用了*的硅微電子機(jī)械（MEMS）技術(shù)，由密歇根大學(xué)制造完成。NeuroNexus提升了技術(shù)，具有能生產(chǎn)更小，更靈活的設(shè)備，這些設(shè)備都非常的精確，具有高度可重復(fù)性、機(jī)械性、幾何學(xué)和電學(xué)的特性。終， NeuroNexus用戶可以在每次使用我們的電極時(shí)獲得*的記錄結(jié)果。

NeuroNexus提供了多種用于單神經(jīng)元、多神經(jīng)元和局部場(chǎng)電位（LFP）的記錄和刺激的硅電極陣列。為了幫助研究人員定位大腦中不同的結(jié)構(gòu)，標(biāo)準(zhǔn)電極開發(fā)了大量的設(shè)計(jì)模板，每種設(shè)計(jì)具有不同的參數(shù)，包括：長度（跨皮質(zhì)層），柄的數(shù)量（跨皮質(zhì)柱），電極位點(diǎn)面積（針對(duì)單個(gè)或多個(gè)神經(jīng)元），電極位點(diǎn)間距（針對(duì)特定區(qū)域）和位點(diǎn)布局。

若您需要配置電極，可以在電極陣列設(shè)計(jì)中找到符合您需求的電極陣列，或直接與我們聯(lián)系。一旦你選擇了一個(gè)電極陣列的設(shè)計(jì)方案，并找到與之相匹配的連接器package，以便它可以與你的headstage連接。

技術(shù)參數(shù)

2. 光遺傳電極-美國NeuroNexus電極

產(chǎn)品介紹

NeuroNexus擁有很多不同的產(chǎn)品來支持光遺傳學(xué)的研究。我們的光遺傳產(chǎn)品包括光電極、植入式光纖、光源系統(tǒng)及其配件。如果您是光遺傳學(xué)領(lǐng)域的新手，我們還為您提供多種不同的光遺傳學(xué)產(chǎn)品讓您順利開始您的科學(xué)研究。

任何標(biāo)準(zhǔn)電極陣列都可以升級(jí)為一個(gè)光電極，使得光刺激和神經(jīng)記錄同步進(jìn)行。將光纖（直徑105μm）放在電極柄的頂部，光纖的*位于電極記錄位點(diǎn)以上200μm（距離可根據(jù)要求定制）。

NeuroNexus現(xiàn)在提供用于擴(kuò)展光遺傳學(xué)應(yīng)用的多光纖電極，其結(jié)構(gòu)緊湊并且堅(jiān)固。使用蝕刻光纖（65μm），每個(gè)電極（每個(gè)電極陣列柄一根光纖）可以連接多達(dá)8根光纖。由于光纖和NeuroNexus微電極陣列的物理限制，所以會(huì)有一些設(shè)計(jì)限制。多光纖光電僅適用于LP（無套管）package。

規(guī)格：

3. 給藥電極_NeuroNexus藥物輸送電極

藥物輸送+化學(xué)感應(yīng)

結(jié)合藥物輸送和電生理記錄。
在E16-20mm-100-177電極陣列上可以放置藥物引導(dǎo)管將藥物輸送和電生理記錄結(jié)合起來。藥物引導(dǎo)管放置在微電極陣列側(cè)面，藥物從引導(dǎo)管的末端輸出。引導(dǎo)管接頭與標(biāo)準(zhǔn)HPLC適配器兼容，并與外部注射泵連接。通常情況下，使用基于壓力的送藥方式。
與我們的眾多產(chǎn)品相同，給藥電極也可以定制。
可以調(diào)整NeuroNexus電極以檢測(cè)神經(jīng)化學(xué)和電生理信號(hào)?？梢酝ㄟ^分析由離子選擇膜涂覆的電極位點(diǎn)的在體循環(huán)伏安法來實(shí)現(xiàn)化學(xué)檢測(cè)。NeuroNexus不提供涂層，但可以提供描述涂層方法的設(shè)計(jì)建議和參考。

規(guī)格：

4. 表面電極: ECoG

柔軟的聚合物表面網(wǎng)格，具有高分辨率。

表面陣列電極是使用聚合物MEMS技術(shù)制造的，能夠貼合大腦表面的超柔性電極。表面電極可用于記錄包括腦，脊髓，外周神經(jīng)和心臟等各種部位的生理信號(hào)（如EEG，ECoG，EMG和ECG）。（詳見我們的神經(jīng)心理學(xué)目錄。）這類電極還可以和標(biāo)準(zhǔn)電極結(jié)合使用，實(shí)現(xiàn)表面和深部腦區(qū)的同時(shí)記錄。表面電極還可以與其他神經(jīng)連接。 
NeuroNexus 提供多種電極設(shè)計(jì)，適用于從小鼠到非人靈長類動(dòng)物。

規(guī)格：

5. NeuroNexus 3D電極_Matrix Array 

3D記錄不同空間位置的神經(jīng)細(xì)胞。
多功能配置、性能可靠。

NeuroNexus 3D電極_Matrix Array 是采用成熟的硅技術(shù)設(shè)計(jì)的新的三維電極，用于像靈長類這樣的大型動(dòng)物的急性和慢性實(shí)驗(yàn)。

Matrix Array™同時(shí)跨越皮質(zhì)層和皮質(zhì)柱，覆蓋大片區(qū)域，記錄大量的神經(jīng)信息。

Matrix Array可以直接使用我們標(biāo)準(zhǔn)的2D硅電極組裝，每一片硅電極的間距和陣列形式都可以定制，可以靈活自如地設(shè)計(jì)出跨越任何解剖結(jié)構(gòu)的3D電極。Matrix Array通過一個(gè)超柔的線纜連接到電極連接器上。

每個(gè)電極都提供了配套的工具（包括測(cè)量工具，模擬裝配，螺絲等），協(xié)助您提高電極記錄的成功率。

從左上角開始順時(shí)針順序：單核Matrix Array™，雙核Matrix Array™，多核Matrix Array™電極與表面電極，單核Matrix Array™與表面電極

NeuroNexus 3D電極_Matrix Array有高度靈活的配置。各種配置都可以擴(kuò)展傳統(tǒng)的記錄區(qū)域，能夠與從腦表面到皮質(zhì)下結(jié)構(gòu)的任何部分相互連接。單個(gè)電極組件，或?yàn)槎鄠€(gè)植入位置選擇雙核組件。使表面電極和植入電極的組合記錄腦表面和腦皮層?？蓪⒍毯烷L電極混合在一個(gè)陣列中，以記錄并刺激高達(dá)10毫米深的腦組織結(jié)構(gòu)。

上圖：配置有不同電極長度的單個(gè)Matrix Array™，對(duì)大腦中不同區(qū)域進(jìn)行定位。

規(guī)格：

6. Qtrode: 4 通道電極

4通道電極有精確的，易于重復(fù)使用的幾何形狀。
Qtrode是一種4通道電極，適用于較低通道數(shù)或替代使用導(dǎo)線記錄的急性和慢性實(shí)驗(yàn)。Qtrodes的技術(shù)與標(biāo)準(zhǔn)電極相同，可快速交貨。
Qtrodes可以達(dá)到10mm深的腦區(qū)，線性位置布局可以跨越150μm， 300μm或600μm的深度。適配器可與常用的Headstage接口連接。 Qtrode也可以配合微型驅(qū)動(dòng)器的長期使用（dDrive或oDrive）。

上圖：電極接口板（EIB）允許將多個(gè)Qtrodes植入同一只動(dòng)物。它與QIB板（未示出）連接，通過單個(gè)16通道Omnetics接口的Headstage連接。

規(guī)格：